Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes

Sanan Semiconductor Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) are developed using Sanan’s advanced 3rd generation SiC SBD technology with high performance and reliability. These SBDs register higher efficiency, higher operation temperatures, and lower losses and operate at higher frequencies than Si-based solutions. The Schottky structure shows no recovery at turn-off and allows a low leakage current with a reverse voltage of up to 1200V. It can contribute to system miniaturization and achieve lightweight system design. Using RoHS-compliant components, the Sanan Semiconductor SiC SBDs are qualified for industrial applications.

Resultados: 48
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Configuración If - Corriente directa Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión directa Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo Ir - Corriente inversa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO220-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO252-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Through Hole TO-252-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 74 A 41 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO263-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Through Hole TO 263-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 10A, TO220N-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 10 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A, TO220-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 12 A 650 V 1.3 V 108 A 36 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 12A, DFN8*8-4L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Carrete: 3 000

SMD/SMT DFN-8*8-4 Single 12 A 650 V 1.3 V 108 A 36 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A, TO247-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A, TO247-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.35 V 140 A 40 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 20A, TO3PF-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-3PF-3L Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.3 V 80 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 30A, TO247-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.3 V 135 A 48 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 40A, TO247-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.35 V 140 A 40 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 650V 50A, TO247-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 650 V 1.35 V 337 A 120 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 2A, TO220-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-2L Single 2 A 1.2 kV 1.35 V 28 A 8 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 5A, TO220-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 5 A 1.2 kV 1.35 V 55 A 20 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 5A, TO252-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Carrete: 2 500

Through Hole TO-252-2L Single 5 A 1.2 kV 1.35 V 55 A 20 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 10A, TO220-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 1 000
Mult.: 50

Through Hole TO-220-2L Single 10 A 1.2 kV 1.35 V 103 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 10A, TO263-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

Through Hole TO 263-2L Single 10 A 1.2 kV 1.35 V 103 A 30 uA - 55 C + 175 C Reel
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 1.2 kV 1.35 V 103 A 30 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 27A, TO247-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 27 A 1.2 kV 1.4 V 200 A 80 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 1.2 kV 1.35 V 140 A 45 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 40A, TO247-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 40 A 1.2 kV 1.4 V 356 A 96 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 50A, TO247-2L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.35 V 504 A 120 uA - 55 C + 175 C Tube
Sanan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 1200V 60A, TO247-3L, Industrial Grade No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 60 A 1.2 kV 1.3 V 291 A 72 uA - 55 C + 175 C Tube