Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 10

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM
onsemi
1: ₡699,36
16 576En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

16 576En existencias

Cinta cortada

₡699,36

₡439,67

₡289,50

₡224,99

Envase tipo carrete

₡169,15

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD19N10LTM
onsemi
1: ₡921,63
30 190En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD19N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD19N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

30 190En existencias

Cinta cortada

₡921,63

₡585,51

₡389,25

₡305,77

₡279,20

Envase tipo carrete

₡236,37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

15.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQB34P10TM
onsemi
1: ₡2 125,18
3 768En existencias
6 400Se espera el 23/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
FQB34P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB34P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

3 768En existencias

6 400Se espera el 23/6/2026

Cinta cortada

₡2 125,18

₡1 398,71

₡981,27

₡818,63

Envase tipo carrete

₡818,63

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

33.5 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

FQD7P20TM
onsemi
1: ₡997,53
7 542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD7P20TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD7P20TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

Hoja de datos

7 542En existencias

Cinta cortada

₡997,53

₡585,51

₡412,57

₡335,58

₡306,85

Envase tipo carrete

₡265,11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

5.7 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: ₡1 051,75
4 854En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

Hoja de datos

4 854En existencias

Cinta cortada

₡1 051,75

₡715,62

₡536,72

₡440,76

₡428,83

Envase tipo carrete

₡400,64

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

Power-33-8

P-Channel

1 Channel

150 V

3 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

FQD18N20V2TM
onsemi
1: ₡1 127,65
22 358En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD18N20V2TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD18N20V2TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Hoja de datos

22 358En existencias

Cinta cortada

₡1 127,65

₡650,56

₡431,00

₡362,69

₡335,58

Envase tipo carrete

₡312,81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

15 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

FQPF19N20C
onsemi
1: ₡1 268,60
4 231En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQPF19N20C

N.º de artículo de Mouser
512-FQPF19N20C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

Hoja de datos

4 231En existencias

₡1 268,60

₡618,04

₡596,35

₡507,44

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

19 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

FQD2N60CTM
onsemi
1: ₡758,99
2 459En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD2N60CTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD2N60CTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

Hoja de datos

2 459En existencias

Cinta cortada

₡758,99

₡477,08

₡315,52

₡246,13

Envase tipo carrete

₡246,13

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 530

: 2 500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.9 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

FQAF11N90C
onsemi
1: ₡3 182,35
279En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
FQAF11N90C

N.º de artículo de Mouser
512-FQAF11N90C

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

Obtenga más información

Hoja de datos

279En existencias

₡3 182,35

₡1 810,74

₡1 507,14

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7.2 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V P-Channel QFET

FQA36P15
onsemi
Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
FQA36P15

N.º de artículo de Mouser
512-FQA36P15

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V P-Channel QFET

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas

Cotización

Through Hole

TO-3PN-3

P-Channel

1 Channel

150 V

36 A

90 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

294 W

Enhancement

QFET

Tube

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