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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level
Hoja de datos
30 379En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 15.6 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series
Hoja de datos
22 884En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET
Hoja de datos
17 675En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 6.6 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET
Hoja de datos
12 191En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET
Hoja de datos
858En existencias
3 819Se espera el 23/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 33.5 A 60 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET
Hoja de datos
918En existencias
2 500Se espera el 27/3/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.9 A 3.6 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET
Hoja de datos
55En existencias
4 500Se espera el 23/2/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 5.7 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET
Hoja de datos
1 708En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 19 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 53 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement QFET Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7.2 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement QFET Tube