Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Tube

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IRF840APBF-BE3
Vishay / Siliconix
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IRF840ASTRLPBF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 8.0 Amp

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Envase tipo carrete

₡577,72

₡567,31

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

8 A

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- 30 V, 30 V

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38 nC

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+ 150 C

125 W

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