Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 321482.06 CRC
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-BST400D12P4A101

Fabricante N.º:

BST400D12P4A101

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

BST400D12P4A101 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor BST400D12P4A101

En existencias: 80

Existencias:: 80 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡321 482,06	₡321 482,06
	₡286 226,86	₡2 862 268,60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	394 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	1.667 kW
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	JP
Tiempo de caída:	42 ns
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	102 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	80
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EcoSiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	198 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	119 ns