UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor

onsemi UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor exhibits ultra-low on resistance (RDS(on)) in a compact TOLL package. This feature makes it ideal for addressing the challenging thermal and space constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The UJ4N JFET from onsemi uses robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
Hoja de datos
57En existencias
2 000Se espera el 11/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape