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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH

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NTMFS5C423NLT3G
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NTMFS5C426NT1G
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NTMFS5C442NT3G
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NTMFS5C450NLT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

NTMFS5C456NLT1G
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133En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8

NTMFS5C460NLT1G
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1: ₡301,60
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO

NTMFS5C604NLT1G
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8 163En existencias
9 000En pedido

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NTMFS5C604NLT1G

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₡632,20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET

NTMFS5C628NLT1G
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1: ₡962,80
1 327En existencias
4 500Se espera el 25/9/2026

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NTMFS5C628NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

NTMFS5C670NT1G
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1: ₡574,20
1 001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMFS5C670NT1G

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863-NTMFS5C670NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG

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₡574,20

₡360,18

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₡136,88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL IN 5X6 DUALCOOL

NTMFSC1D6N06CL
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6 000Se espera el 15/5/2026

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NTMFSC1D6N06CL

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₡451,24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel

NTMJS1D5N04CLTWG
onsemi
1: ₡1 438,40
3 000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS1D5N04CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS1D5N04CLTWG

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₡1 438,40

₡928,00

₡638,00

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₡415,86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

NTMJS2D5N06CLTWG
onsemi
1: ₡1 345,60
2 923En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NTMJS2D5N06CLTWG

N.º de artículo de Mouser
863-NTMJS2D5N06CLTWG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel

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₡1 345,60

₡887,40

₡620,60

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₡406,00

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI

NTMTS001N06CTXG
onsemi
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848En existencias
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NTMTS001N06CTXG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI

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Trench6 N-Channel MV MOSFETs

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