Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 26A 21Ohm
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3 000Se espera el 20/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 V SANYO T6 NCH IN
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 30V NCH U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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12 000Se espera el 4/9/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
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1 000Se espera el 20/2/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET TOLL 60V 0.75MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SL DPAK
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2 500Se espera el 14/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL DPAK
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2 500Se espera el 28/8/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 8.1 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 11.7 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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