Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
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1 500Se espera el 4/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL DUAL
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1 500Se espera el 20/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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1 500Se espera el 10/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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6 000Se espera el 4/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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1 500Se espera el 4/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
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1 500Se espera el 4/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7 MOHM T8 S08FL SINGL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL SINGLE
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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1 500En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
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2 940Se espera el 26/6/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 21mOhm 27A Single N-Channel
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2 938En existencias
3 000Se espera el 26/5/2026
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