Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL LFPAK
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3 000Se espera el 4/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG NCH U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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1 500Se espera el 27/8/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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1 500Se espera el 25/6/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL WF
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1 500Se espera el 17/7/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL WF
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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