Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40VNCH LL IN U8FL WF
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4 500Se espera el 9/10/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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1 500Se espera el 14/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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1 500Se espera el 4/12/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL WF
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1 500Se espera el 6/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V NCH LL U8FL WF
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1 500Se espera el 12/6/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN SO8FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 60V LL U8FL WF
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
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10 500Se espera el 13/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS
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7 500Se espera el 2/3/2026
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