Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 71A N-Channel Single Power MOSFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION
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5 998Se espera el 9/6/2027
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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3 000Se espera el 27/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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3 000Se espera el 11/5/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL LFPAK
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3 000Se espera el 3/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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9 998Se espera el 25/8/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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8 179Se espera el 27/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN
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1 500Se espera el 3/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V S08FL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V LL U8FL WF
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6 000Se espera el 15/1/2027
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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3 000Se espera el 3/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3mOhm 133A Single N-Channel
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6 000Se espera el 17/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
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5 440Se espera el 31/7/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
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1 450Se espera el 13/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WIDE SOA
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1 500Se espera el 2/10/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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1 500Se espera el 4/5/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
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2 993Se espera el 2/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
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2 950Se espera el 13/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3 MOHM T6 S08FL SIN
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1 500Se espera el 18/9/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 7.3mOhm 50A Single N-Channel
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2 645Se espera el 17/7/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
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1 500Se espera el 3/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
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1 500Se espera el 10/4/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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1 500Se espera el 2/3/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 60V NFET
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1 500Se espera el 13/11/2026
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
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1 500Se espera el 26/6/2026
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