Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET
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Toshiba
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Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
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Toshiba
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Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K7002KFULXH
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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Detalles
Si
SMD/SMT
USM-3
N-Channel
1 Channel
60 V
400 mA
1.75 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
390 pC
+ 150 C
700 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
SSM3K7002KF,LXHF
Toshiba
1:
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19 158 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3K7002KFLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
19 158 En existencias
1
₡187,37
10
₡115,02
100
₡72,34
500
₡53,61
3 000
₡39,56
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6 000
₡35,39
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₡30,19
24 000
₡28,11
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Detalles
Si
SMD/SMT
S-Mini-3
N-Channel
1 Channel
60 V
400 mA
1.75 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
+ 150 C
900 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
SSM3J351R,LXHF
Toshiba
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108 000 Se espera el 8/6/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J351RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
108 000 Se espera el 8/6/2026
1
₡510,06
10
₡318,00
100
₡206,62
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Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
P-Channel
1 Channel
60 V
3.5 A
164 mOhms
- 20 V, 10 V
2 V
15.1 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
SSM3J371R,LXHF
Toshiba
1:
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3 000 Se espera el 8/6/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J371RLXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
3 000 Se espera el 8/6/2026
1
₡291,46
10
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100
₡114,50
500
₡86,40
3 000
₡65,06
6 000
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₡77,03
6 000
₡58,81
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₡50,49
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23F-3
P-Channel
1 Channel
20 V
4 A
55 mOhms
- 8 V, 6 V
1 V
10.4 nC
+ 175 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
SSM6N7002KFU,LXH
Toshiba
1:
₡223,80
4 391 Se espera el 31/7/2026
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N7002KFULXH
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
4 391 Se espera el 31/7/2026
1
₡223,80
10
₡137,92
100
₡86,92
500
₡65,06
3 000
₡48,40
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₡43,72
9 000
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Si
SMD/SMT
US6-6
N-Channel
1 Channel
60 V
300 mA
1.5 Ohms
- 20 V, 20 V
2.1 V
390 pC
+ 150 C
500 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
SSM3J144TU,LXHF
Toshiba
1:
₡286,26
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N.º de artículo de Mouser 757-SSM3J144TULXHF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A
No en existencias
1
₡286,26
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Si
SMD/SMT
UFM-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.2 A
93 mOhms
- 8 V, 6 V
1 V
4.7 nC
+ 150 C
1 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
