STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

Resultados: 104
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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42 113En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
Hoja de datos
20 019En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 130 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate
Hoja de datos
26 971En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac
Hoja de datos
3 650En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII
Hoja de datos
6 794En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
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10 730En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 10 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
Hoja de datos
1 253En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
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2 132En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.68 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 127 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG
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9 601En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
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6 524En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
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1 715En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 193 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
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38 083En existencias
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Min.: 1
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: 4 000

Si SMD/SMT SOT-223-4 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 2.6 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate
Hoja de datos
2 946En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.0068Ohm 80A STripFET VII
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2 004En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 45 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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940En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
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4 712En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.4 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
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773En existencias
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Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 365 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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7 145En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46.8 nC - 55 C + 175 C 120 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
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5 720En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 14 nC - 55 C + 175 C 4.8 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0175 Ohm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3
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2 744En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 P-Channel 1 Channel 40 V 8 A 20.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
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1 840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
1 876En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 160 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
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823En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 100 V 4.5 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.9 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II
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2 399En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 6 A 420 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 72 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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7 437En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel 1 Channel 100 V 4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 2.4 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel