Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡994,09 5 576En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPN95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5 576En existencias	Cinta cortada ₡994,09 ₡475,71 ₡425,22 ₡335,70 ₡316,44 Envase tipo carrete ₡271,16 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	7 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 139,82 3 868En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R1K2P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	3 868En existencias	Cinta cortada ₡1 139,82 ₡551,69 ₡491,84 ₡390,87 ₡362,76 Envase tipo carrete ₡325,81 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	52 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 009,70 12 487En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R2K0P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	12 487En existencias	Cinta cortada ₡1 009,70 ₡481,95 ₡423,14 ₡335,70 Envase tipo carrete ₡272,20 Ver ₡316,44 ₡256,07 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	4 A	2 Ohms	20 V	2.5 V	10 nC	- 55 C	+ 150 C	37 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R750P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 394,85 4 916En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD95R750P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R750P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	4 916En existencias	Cinta cortada ₡1 394,85 ₡687,01 ₡619,35 ₡492,88 ₡482,99 Envase tipo carrete ₡431,47 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R1K2P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 353,21 15En existencias 2 000Se espera el 31/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IPA95R1K2P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R1K2P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	15En existencias 2 000Se espera el 31/12/2026	₡1 353,21 ₡749,47 ₡593,33 ₡473,10 ₡471,02	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	6 A	1.2 Ohms	20 V	2.5 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPD95R450P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 764,38 5En existencias 2 500Se espera el 18/2/2027	N.º de artículo del Fabricante IPD95R450P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD95R450P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	5En existencias 2 500Se espera el 18/2/2027	Cinta cortada ₡1 764,38 ₡999,29 ₡770,29 ₡634,97 ₡608,94 Envase tipo carrete ₡546,49 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	950 V	14 A	450 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPN95R3K7P7ATMA1 Infineon Technologies 1: ₡811,93 460En existencias 63 000Se espera el 7/1/2027	N.º de artículo del Fabricante IPN95R3K7P7ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPN95R3K7P7ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	460En existencias 63 000Se espera el 7/1/2027	Cinta cortada ₡811,93 ₡447,60 ₡331,54 ₡259,71 ₡238,37 Envase tipo carrete ₡180,08 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3 000	Si	SMD/SMT	SOT-223-3	N-Channel	1 Channel	950 V	2 A	3.7 Ohms	20 V	2.5 V	6 nC	- 55 C	+ 150 C	6 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPU95R750P7AKMA1 Infineon Technologies 1: ₡1 327,19 2 999Se espera el 22/10/2026	N.º de artículo del Fabricante IPU95R750P7AKMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPU95R750P7AKMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	2 999Se espera el 22/10/2026	₡1 327,19 ₡931,63 ₡707,83 ₡614,15 Ver ₡456,97 ₡456,45 ₡448,12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-251-3	N-Channel	1 Channel	950 V	9 A	750 mOhms	20 V	2.5 V	23 nC	- 55 C	+ 150 C	73 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW IPA95R450P7XKSA1 Infineon Technologies 1: ₡1 769,58 Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPA95R450P7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPA95R450P7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos p7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas	₡1 769,58 ₡884,79 ₡801,52 ₡645,38	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	950 V	14 A	450 mOhms	20 V	2.5 V	35 nC	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

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