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NVMFD027N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD027N10MCLT1G
Price: 1160.64 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFD027N10MCLT1G

Fabricante N.º:

NVMFD027N10MCLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Hoja de datos:

NVMFD027N10MCLT1G Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	138 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	11 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	164 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	3.2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.5 ns
Serie:	NVMFD027N10MCL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns

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NVMFD027N10MCLT1G Hoja de datos

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Malasia
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFD027N10MCL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFD027N10MCL Dual N-Channel Power MOSFET is a 100V, 28A, 26mΩ Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs. The AEC-Q101-qualified and PPAP-capable device is housed in a 5mm x 6mm flat lead package with a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The onsemi NVMFD027N10MCL MOSFET features high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses.

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Existencias:: 756

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 160,64	₡1 160,64
	₡744,27	₡7 442,70
	₡503,29	₡50 329,00
	₡400,24	₡200 120,00
	₡335,70	₡335 700,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡335,70	₡503 550,00

NVMFD027N10MCLT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LL SO8FL DUAL

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