Resultados: 33
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima
MACOM GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440117 N-Channel 150 V 36 A - 3 V - 40 C + 130 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 100 V 800 mA 2.3 Ohms - 3 V
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

SMD/SMT QSOP-20 N-Channel 150 V 6.3 A - 3 V - 40 C + 90 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 50 V 3.2 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 10
Mult.: 10

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 50 V 12.6 A
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 6 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440210 N-Channel 100 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C