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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Dp - Disipación de potencia
Paquete / Cubierta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
Hoja de datos
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Hoja de datos
24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
19En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
11En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT
Hoja de datos
3En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT
Hoja de datos
3En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 4
Mult.: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray