FET LDMOS y JFET de RF 5G
Los transistores de efecto de campo de unión (JFET) y los FET de semiconductores de óxido metálico de difusión lateral (LDMOS) de RF 5G de MACOM son transistores de alta potencia mejorados térmicamente para la próxima generación de transmisión inalámbrica. Estos dispositivos cuentan con tecnología de transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) GaN en SiC, sincronización de entrada, alta eficiencia y un paquete de montaje en superficie mejorado térmicamente con una brida sin orejas. Los JFET y FET LDMOS de RF 5G de MACOM son ideales para aplicaciones de amplificadores de potencia celular multiestándar.
NO SE HALLARON RESULTADOS..
Intente modificar su término de búsqueda a continuación, o visite nuestro Centro de ayuda.
Intente modificar su término de búsqueda a continuación, o visite nuestro Centro de ayuda.
Sugerencias de búsqueda
- Comprobar que el número del componente o las palabras clave estén escritas correctamente
- Use menos palabras clave o palabras distintas
- Busque 1 número de componente cada vez
- Aplique 1 filtro cada vez