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IQE036N08NM6SCATMA1
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Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC031N08NM6SCATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK

IPB014N08NM6ATMA1
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IPF011N08NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL

IPT009N08NM6ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6ATMA1
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IQE036N08NM6CGSCATMA1
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ISC056N08NM6ATMA1
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ISC031N08NM6ATMA1
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5 000Se espera el 29/4/2027

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ISC031N08NM6ATMA1

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726-ISC031N08NM6ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220

IPP014N08NM6AKSA1
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IPP014N08NM6AKSA1

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726-IPP014N08NM6AKSA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC014N08NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 691,96
4 740Se espera el 13/8/2026

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ISC014N08NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC014N08NM6ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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4 740Se espera el 13/8/2026

Cinta cortada

₡3 691,96

₡2 477,57

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₡1 729,42

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₡1 566,78

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: 5 000

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

ISC018N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡3 930,50
3 976Se espera el 29/10/2026
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ISC018N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC018N08NM6SCAT

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Infineon Technologies

Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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₡1 658,94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: ₡2 792,01
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ISC025N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM6SCAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

ISC025N08NM6ATMA1
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1: ₡1 930,01
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ISC025N08NM6ATMA1

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726-ISC025N08NM6ATMA

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