OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80V Power MOSFETs set industry benchmark performance with a wide portfolio offering, including PQFN 3.3mm x 3.3mm, SuperSO8, PQFN 5mm x 6mm Dual-Side Cooling, and PQFN 3.3mm x 3.3mm Source-Down. The 80V family is ideal for high switching frequency applications such as telecom, servers, and solar. The performance improvements of OptiMOS™ 6 80V also demonstrate benefits in battery management systems (BMS).

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Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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720En existencias
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: 6 000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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5En existencias
4 000Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
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: 4 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
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800En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
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800En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
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1 475En existencias
Min.: 1
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: 2 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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776En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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378En existencias
6 000Se espera el 25/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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387En existencias
5 000Se espera el 23/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
775En existencias
5 000Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
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: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
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26En existencias
5 000Se espera el 29/4/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TO-220
Hoja de datos
500Se espera el 2/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
4 740Se espera el 20/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies Infineon OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
3 976Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
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1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 4 000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V
Hoja de datos
1 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000