Resultados: 127
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp 3 120En existencias
₡2 643,96
₡1 733,15
₡1 295,96
₡1 051,34
₡936,84
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 80 A 4 mOhms 20 V 1 V 110 nC - 65 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp 1 673En existencias
₡2 097,48
₡1 066,95
₡962,86
₡791,11
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET 2 973En existencias
Cinta cortada
₡1 639,47
₡817,13
₡739,06
₡593,33
₡582,92
Envase tipo carrete
₡536,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8.5 mOhms 20 V 4 V 33.5 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK 1 388En existencias
Cinta cortada
₡1 811,22
₡910,81
₡822,34
₡666,20
Envase tipo carrete
₡608,94
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 330 V 18 A 180 mOhms 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 35 Amp 1 806En existencias
₡1 139,82
₡577,72
₡478,31
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 38 mOhms 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 1 908En existencias
Cinta cortada
₡1 504,15
₡848,36
₡692,22
₡608,94
Envase tipo carrete
₡603,74
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 120 Amp 1 866En existencias
Cinta cortada
₡2 019,41
₡1 025,32
₡926,43
₡759,88
Envase tipo carrete
₡707,83
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 120 A 6 mOhms 20 V 2 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V Pwr Mosfet 1 691En existencias
Cinta cortada
₡2 576,30
₡1 332,39
₡1 212,68
₡1 051,34
Envase tipo carrete
₡983,68
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A 2 861En existencias
Cinta cortada
₡1 249,12
₡608,94
₡546,49
₡434,59
₡418,45
Envase tipo carrete
₡365,37
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.8 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.012 Ohm 30A 4 700En existencias
₡1 696,72
₡749,47
₡692,22
₡598,54
₡572,51
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 50 Amp 3 679En existencias
Cinta cortada
₡1 759,17
₡879,59
₡588,13
Envase tipo carrete
₡588,13
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 35 Amp 5 049En existencias
Cinta cortada
₡1 030,52
₡492,88
₡440,31
₡348,71
Envase tipo carrete
₡267,52
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 35 A 18 mOhms 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120 Volt 80 Amp 1 578En existencias
₡1 556,19
₡770,29
₡697,42
₡567,31
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 18 mOhms 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp 1 844En existencias
₡1 618,65
₡801,52
₡723,45
₡582,92
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms 20 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 68V 0.0082 Ohm 98 A STripFET II 2 059En existencias
₡1 337,60
₡655,79
₡588,13
₡469,98
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 68 V 98 A 9.8 mOhms 20 V 2 V 75 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A 2 089En existencias
Cinta cortada
₡1 217,89
₡593,33
₡530,87
₡422,62
₡398,68
Envase tipo carrete
₡358,08
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 38 mOhms 20 V 2 V 55 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI 675En existencias
Cinta cortada
₡2 165,14
₡1 483,33
₡1 327,19
₡1 145,02
Envase tipo carrete
₡962,86
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2.4 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos 845En existencias
₡1 410,46
₡936,84
₡759,88
₡634,97
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp 32 677En existencias
Cinta cortada
₡942,04
₡447,60
₡374,21
₡301,35
Envase tipo carrete
₡257,63
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 23 A 65 mOhms 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 250V 0.165mOhm 17A MOSFET 51 165En existencias
27 500Se espera el 28/5/2027
Cinta cortada
₡1 150,23
₡567,31
₡517,86
₡441,88
Envase tipo carrete
₡441,88
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 165 mOhms 20 V 2 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Low charge STripFET 20 980En existencias
₡1 509,35
₡780,70
₡619,35
₡562,10
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 125 mOhms 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 120 Amp 1 452En existencias
Cinta cortada
₡2 482,62
₡1 280,34
₡1 160,64
₡999,29
Envase tipo carrete
₡942,04
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 7.5 mOhms 20 V 2 V 218 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 16 Amp 4 373En existencias
Cinta cortada
₡1 087,77
₡567,31
₡483,51
₡397,12
Envase tipo carrete
₡356,52
₡333,10
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 90 mOhms 20 V 1 V 7.3 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II 2 091En existencias
8 000Se espera el 28/5/2027
Cinta cortada
₡1 368,82
₡671,40
₡603,74
₡482,99
Envase tipo carrete
₡444,48
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 17 A 140 mOhms 20 V 2 V 29.3 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp 1 602En existencias
1 000Se espera el 27/11/2026
Cinta cortada
₡1 904,90
₡957,66
₡869,18
₡707,83
Envase tipo carrete
₡655,79
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 113 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel