NSF0x120L4A0 N-Channel MOSFETs

Nexperia NSF0x120L4A0 N-Channel MOSFETs are silicon carbide (SiC)-based, 1200V power MOSFETs in well-established 4-pin TO-247 plastic packages. These MOSFETs exhibit excellent drain-source on-state resistance temperature stability. The series offers low switching losses, fast reverse recovery, and fast switching speeds. The Nexperia MOSFETs provide faster commutation and improved switching due to the additional Kelvin source pin. The NSF0x120L4A0 modules feature a 22V maximum gate-source voltage, +175°C maximum junction temperature, and EU RoHS compliance. Typical applications include electric vehicle (EV) charging infrastructure, photovoltaic inverters, switched mode power supplies (SMPS), uninterruptable power supply, and motor drives.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal

Nexperia MOSFETs de SiC NSF040120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia MOSFETs de SiC NSF080120L4A0/SOT8071/TO247-4L
Hoja de datos
390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 120 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement