CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 42194.55 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

94-CLP24H4S30PXY

Fabricante N.º:

CLP24H4S30PXY

Fabricante:

Ampleon

Descripción:

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Ciclo de vida:

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	₡42 194,55	₡42 194,55
	₡35 070,87	₡350 708,70
	₡33 270,97	₡831 774,25
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
	₡31 335,54	₡3 133 554,00
	₡31 297,59	₡6 259 518,00
500	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Ampleon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	774 uA
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.2 V
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Marca:	Ampleon
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Ganancia:	18.4 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	30 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN SiC
Tipo:	RF Power MOSFET

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.