AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

Tipos de inductores, bobinas y espirales
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Inductancia
Tolerancia
Corriente CC máxima
Estilo de terminación
Temperatura de trabajo máxima
ABRACON Inductores de RF - SMD 3.9 NH 2%
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29 445En existencias
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: 10 000

3.9 nH 2 % 840 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 2.20 nH 0.960 A 70.00 mOhm
Hoja de datos
18 430En existencias
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: 10 000

2.2 nH 5 % 960 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.27 uH 0.500 A 910.00 mOhm
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846En existencias
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270 nH 5 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 22.00 nH 1.000 A 120.00 mOhm
Hoja de datos
1 990En existencias
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: 2 000

22 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 68.00 nH 1.000 A 210.00 mOhm
Hoja de datos
644En existencias
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: 2 000

68 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 82.00 nH 1.000 A 220.00 mOhm
Hoja de datos
600En existencias
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82 nH 2 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 10.00 nH 0.480 A 200.00 mOhm
Hoja de datos
7 277En existencias
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: 10 000

10 nH 2 % 480 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 1.00 uH 0.370 A 1800.00 mOhm
Hoja de datos
4 844En existencias
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: 2 000

1 uH 5 % 370 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 33.00 nH 1.000 A 140.00 mOhm
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1 354En existencias
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: 2 000

33 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 4.70 uH 0.260 A 4000.00 mOhm
Hoja de datos
1 330En existencias
Min.: 1
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: 2 000

4.7 uH 2 % 260 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 1.80 uH 0.300 A 2600.00 mOhm
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300En existencias
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: 2 000

1.8 uH 2 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.91 uH 0.380 A 1680.00 mOhm
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1 147En existencias
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: 2 000

910 nH 2 % 380 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 3.90 uH 0.260 A 3600.00 mOhm
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1 985En existencias
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: 2 000

3.9 uH 2 % 260 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 27.00 nH 0.400 A 300.00 mOhm
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8 862En existencias
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: 10 000

27 nH 5 % 400 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 3.90 nH 0.840 A 66.00 mOhm
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10 484En existencias
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3.9 nH 5 % 840 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 4.70 nH 0.800 A 83.00 mOhm
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13 130En existencias
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: 10 000

4.7 nH 2 % 800 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 47.00 nH 0.150 A 750.00 mOhm
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11 816En existencias
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47 nH 5 % 150 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 1.20 uH 0.260 A 1100.00 mOhm
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6 212En existencias
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1.2 uH 5 % 260 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Inductores de potencia - SMD IND 0.18 uH 0.320 A 1200.00 mOhm
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4 499En existencias
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: 3 000

180 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 0.39 uH 0.470 A 1120.00 mOhm
Hoja de datos
5 881En existencias
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: 2 000

390 nH 2 % 470 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 12.00 nH 0.640 A 120.00 mOhm
Hoja de datos
7 891En existencias
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: 10 000

12 nH 5 % 640 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 15.00 nH 0.560 A 170.00 mOhm
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7 440En existencias
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15 nH 2 % 560 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 47.00 nH 0.150 A 750.00 mOhm
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9 000En existencias
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: 10 000

47 nH 2 % 150 mA SMD/SMT
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 8.20 nH 0.700 A 95.00 mOhm
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2 911En existencias
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: 3 000

8.2 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON Inductores de RF - SMD IND 22.00 nH 0.490 A 190.00 mOhm
Hoja de datos
742En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

22 nH 5 % 490 mA SMD/SMT + 125 C