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EPC2304

Name: EPC EPC2304
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2304
Price: 4906.34 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

65-EPC2304

Fabricante N.º:

EPC2304

Fabricante:

EPC

Descripción:

GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

EPC2304 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡4 906,34	₡4 906,34
	₡3 344,99	₡33 449,90
	₡2 466,73	₡246 673,00
	₡2 450,46	₡1 225 230,00
	₡2 266,13	₡2 266 130,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡1 995,07	₡5 985 210,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	EPC
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	FCQFN-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	133 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	6 V, - 4 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	eGaN FET
Marca:	EPC
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	Power Transistor
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	31,500 mg

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Hoja de datos

EPC2304 Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN^® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance R_DS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (Q_G) and zero reverse recovery (Q_RR) losses. This 200V_DS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.