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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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111 770En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 20 V 3.9 A 130 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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31 390En existencias
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Min.: 1
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: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 7.5 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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25 530En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 4.4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
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37 068En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 3 A 85 mOhms, 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.2 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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8 302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 5 A 56 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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13 152En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 30 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
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3 756En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 5.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 185 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified
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6 942En existencias
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Min.: 1
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 P-Channel 2 Channel 60 V 8 A 67 mOhms, 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id
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285En existencias
8 000En pedido
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: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel