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NVMFWS4D0N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS4D0N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS4D0N04XMT1G
Price: 499.65 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMFWS4D0N04XMT1G

Fabricante N.º:

NVMFWS4D0N04XMT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFNW-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	80 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	43 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	32 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	NVMFWS4D0N04XM
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	10 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: Malasia
País de difusión:: Japón

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET offers a low R_DS(on) and capacitance in an AEC-Q101 qualified package. The MOSFET has a 40V drain-to-source voltage, 80A continuous drain current, and 3.9mΩ at 10V drain-to-source resistance. The onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET is available in a SO-8FL 5mm x 6mm small footprint package and is ideal for motor drive, battery protection, and synchronous rectification applications.

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₡-,--

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡499,65	₡499,65
	₡323,21	₡3 232,10
	₡265,96	₡26 596,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡265,96	₡398 940,00

NVMFWS4D0N04XMT1G

Fabricante: onsemi

Descripción: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

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