Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 104

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC18DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 322,82
42 884En existencias

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SIRC18DP-T1-GE3

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78-SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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₡1 322,82

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₡585,51

₡465,70

Envase tipo carrete

₡379,50

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Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

60 A

850 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

111 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡796,94
52 515En existencias

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SI4228DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI4228DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8

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Cinta cortada

₡796,94

₡502,56

₡332,87

₡260,23

Envase tipo carrete

₡210,89

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

25 V

8 A

18 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

25 nC

- 55 C

+ 150 C

3.1 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 089,70
14 026En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ350DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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14 026En existencias

Cinta cortada

₡1 089,70

₡699,36

₡467,86

₡370,82

₡339,38

Envase tipo carrete

₡303,60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

6.75 mOhms

- 12 V, 16 V

1 V

20.3 nC

- 55 C

+ 150 C

16.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ998DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 366,19
5 723En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ998DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Cinta cortada

₡1 366,19

₡878,26

₡601,77

₡478,71

₡440,22

Envase tipo carrete

₡413,65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 2.2 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

18 nC, 44.3 nC

- 55 C

+ 150 C

20.2 W, 32.9 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 366,19
9 836En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRB40DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRB40DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

₡1 366,19

₡872,84

₡601,77

₡478,71

₡440,22

Envase tipo carrete

₡413,65

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

40 A

3.25 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

93 nC

- 55 C

+ 150 C

46.2 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7942DP-T1-E3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 984,22
4 032En existencias

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SI7942DP-T1-E3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7942DP-E3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Cinta cortada

₡1 984,22

₡1 311,97

₡1 046,33

₡872,84

Envase tipo carrete

₡715,62

₡710,20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

100 V

5.9 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

SI4202DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 122,22
4 164En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI4202DY-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI4202DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8

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Cinta cortada

₡1 122,22

₡715,62

₡476,00

₡381,66

Envase tipo carrete

₡314,44

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2 500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

12.1 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.7 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1036X-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡314,44
49 099En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1036X-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1036X-T1-GE3

Vishay / Siliconix

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Cinta cortada

₡314,44

₡194,63

₡124,15

₡93,79

Envase tipo carrete

₡70,48

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SC-89-6

N-Channel

2 Channel

30 V

610 mA

540 mOhms

- 8 V, 8 V

400 mV

2 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

SIS780DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡699,36
7 411En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIS780DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIS780DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

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₡699,36

₡497,14

₡309,02

₡213,06

Envase tipo carrete

₡161,01

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18 A

13.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

24.5 nC

- 55 C

+ 150 C

27.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIR770DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 360,76
132En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIR770DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SIR770DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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132En existencias

Cinta cortada

₡1 360,76

₡872,84

₡596,35

₡496,06

Envase tipo carrete

₡415,82

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

17.8 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

SIA817EDJ-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡487,92
49 500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIA817EDJ-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

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Hoja de datos

49 500En existencias

Cinta cortada

₡487,92

₡303,05

₡196,80

₡150,71

Envase tipo carrete

₡116,02

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

30 V

4.5 A

54 mOhms

- 12 V, 12 V

1.3 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

6.5 W

Enhancement

LITTLE FOOT, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡894,53
13 217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ200DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20/-16V Vgs PowerPAIR 3x3S

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Hoja de datos

13 217En existencias

Cinta cortada

₡894,53

₡498,77

₡383,83

₡347,51

Envase tipo carrete

₡246,67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A, 61 A

5.5 mOhms, 5.8 mOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

28 nC, 30 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

SIZ980DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 263,18
2 966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ980DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5

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Hoja de datos

2 966En existencias

Cinta cortada

₡1 263,18

₡813,21

₡552,98

₡438,05

Envase tipo carrete

₡356,18

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A, 60 A

4.7 mOhms, 1.1 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 77 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

SI7212DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 414,98
2 544En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7212DN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7212DN-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8

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2 544En existencias

Cinta cortada

₡1 414,98

₡910,79

₡623,46

₡500,93

₡461,36

Envase tipo carrete

₡422,87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8

N-Channel

2 Channel

30 V

6.8 A

36 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

11 nC

- 55 C

+ 150 C

2.6 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF916DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 263,18
2 128En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZF916DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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Hoja de datos

2 128En existencias

Cinta cortada

₡1 263,18

₡813,21

₡552,98

₡438,05

₡410,40

Envase tipo carrete

₡371,36

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

12.7 mOhms, 6.58 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V

14.6 nC, 62 nC

- 55 C

+ 150 C

26.6 W, 60 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7956DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡2 412,51
5 946En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI7956DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
781-SI7956DP-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

5 946En existencias

Cinta cortada

₡2 412,51

₡1 588,46

₡1 122,22

₡948,74

Envase tipo carrete

₡894,53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

150 V

4.1 A

105 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

3.5 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

SI1023CX-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡336,13
92 882En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SI1023CX-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI1023CX-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 8V Vgs SC89-6

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Hoja de datos

92 882En existencias

Cinta cortada

₡336,13

₡206,01

₡131,74

₡99,21

Envase tipo carrete

₡74,81

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

SC-89-6

P-Channel

2 Channel

20 V

450 mA

756 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

2.5 nC

- 55 C

+ 150 C

220 mW

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SIRC16DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡1 344,50
9 137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIRC16DP-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIRC16DP-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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Hoja de datos

9 137En existencias

Cinta cortada

₡1 344,50

₡862,00

₡590,93

₡471,66

Envase tipo carrete

₡384,92

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

25 V

60 A

960 uOhms

- 16 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

54.3 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

SIZ348DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: ₡1 100,54
4 117En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIZ348DT-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIZ348DT-T1-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

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Hoja de datos

4 117En existencias

Cinta cortada

₡1 100,54

₡704,78

₡472,74

₡374,62

Envase tipo carrete

₡302,51

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3 000

SMD/SMT

PowerPAIR-3x3-8

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

7.12 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

18.2 nC

- 55 C

+ 150 C

16.7 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7772DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: ₡693,94
5 867En existencias

N.º de artículo del Fabricante
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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

1 Channel

30 V

35.6 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18.5 nC

- 55 C

+ 150 C

29.8 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

SI7972DP-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8

N-Channel

2 Channel

60 V

8 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.7 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

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SIZF906DT-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

3 mOhms, 900 uOhms

- 16 V, 20 V

1.1 V

49 nC, 200 nC

- 55 C

+ 150 C

38 W, 83 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD

SISF00DN-T1-GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8SCD-8

N-Channel

2 Channel

30 V

60 A

4.2 mOhms

- 16 V, 20 V

2.1 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

TrenchFET, PowerPAK

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

SIZ980BDT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZ980BDT-T1-GE3

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78-SIZ980BDT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAIR 6 x 5

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel

2 Channel

30 V

54.8 A, 197 A

4.39 mOhms, 1.06 mOhms

- 16 V, 20 V

1.2 V, 1.1 V

18 nC, 79 nC

- 55 C

+ 150 C

20 W, 66 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

SIZF918DT-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SIZF918DT-T1-GE3

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78-SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F

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SMD/SMT

PowerPAIR-6x5-8

N-Channel, NPN

2 Channel

30 V

40 A, 60 A

6.8 mOhms, 2.7 mOhms

- 12 V, 16 V

1.1 V, 1 V

14.6 nC, 37 nC

- 50 C

+ 150 C

26.6 W, 50 W

Enhancement

TrenchFET, SkyFET, PowerPAIR

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

350 mA, 500 mA
450 mA
610 mA
700 mA
1.1 A
1.3 A
2.1 A, 3.9 A
2.2 A
2.5 A
3.7 A
3.7 A, 4 A
4 A
4.1 A
4.3 A, 6 A
4.5 A
5 A
5.8 A
5.8 A, 6.8 A
5.9 A
6 A

850 uOhms
960 uOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms, 4.8 mOhms
3 mOhms, 900 uOhms
3.07 mOhms, 1.05 mOhms
3.25 mOhms
3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.8 mOhms, 1.17 mOhms
4.2 mOhms
4.39 mOhms, 1.06 mOhms
4.6 mOhms
4.7 mOhms, 1.1 mOhms
4.7 mOhms, 2.2 mOhms
5.3 mOhms, 9.3 mOhms
5.5 mOhms
5.5 mOhms, 5.8 mOhms
5.6 mOhms
5.7 mOhms, 2.8 mOhms

400 mV
500 mV
600 mV
600 mV, 500 mV
1 V
1 V, 1.2 V
1.1 V
1.1 V, 1 V
1.2 V
1.2 V, 1.1 V
1.2 V, 1.4 V
1.3 V
1.4 V
1.5 V
1.5 V, 2.5 V
2.1 V
2.2 V
2.2 V, 2.4 V
2.5 V
2.7 V

950 pC
1.3 nC
1.3 nC, 1.65 nC
2 nC
2.4 nC
2.5 nC
3 nC
3.2 nC, 6 nC
3.7 nC, 5.3 nC
4 nC
4.2 nC
4.2 nC, 5.6 nC
5 nC
5.2 nC
6 nC
6 nC, 7.8 nC
6.6 nC, 10 nC
7.8 nC, 11.6 nC
8 nC
9 nC

220 mW
340 mW
420 mW
1.15 W
1.25 W
1.3 W, 1.4 W
1.4 W
1.4 W, 2.4 W
1.6 W, 1.7 W
2 W
2.3 W
2.6 W
2.78 W
2.8 W
3 W, 3.1 W
3.1 W
3.1 W, 3.2 W
3.2 W
3.25 W
3.5 W