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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL
Hoja de datos
3 119En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 71 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 16A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 29A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 41A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 516En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 18A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 336En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 225 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 41A N-CH MOSFET
Hoja de datos
952En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 27 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
Hoja de datos
936En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 503En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 647En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 109 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 25A N-CH MOSFET
Hoja de datos
473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 600V 41A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 19A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2 208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 201 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 61A N-CH MOSFET
Hoja de datos
537En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 84 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35.4 A 2.3 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode
Hoja de datos
759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TOLL 600V 47A E SERIES
Hoja de datos
7 665En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 600V
Hoja de datos
2 000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263AB-4 N-Channel 1 Channel 600 V 46 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1 000Existencias disponibles
Más información disponible
Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement