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NTMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NTMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6H858NLT1G
Price: 696 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFS6H858NLT1G

Fabricante N.º:

NTMFS6H858NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL

Hoja de datos:

NTMFS6H858NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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₡-,--

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Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡696,00	₡696,00
	₡435,58	₡4 355,80
	₡287,10	₡28 710,00
	₡222,72	₡111 360,00
	₡186,76	₡186 760,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡172,26	₡258 390,00
	₡171,10	₡513 300,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-5
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	80 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	12 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	42 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	34 ns
Serie:	NTMFS6H858NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

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Hoja de datos

NTMFS6H858NLT1G Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS6H858NL N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS6H858NL N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs in a 5mm x 6mm flat lead package. This power MOSFET features low R_DS(on), low Q_G and capacitance, and logic-level drive capability. The NTMFS6H858NL N-channel power MOSFET operates at 80V drain-to-source voltage, ±20V gate-to-source voltage, and -55°C to 175°C operating junction and storage temperature range. This power MOSFET is Pb-free and RoHS-compliant. Typical applications include switching power supplies, power switches (High-side driver, low-side driver, and H-bridges), 48V systems, motor control, load switches, and DC/DC converter.