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Automotive Devices

Toshiba Automotive Devices offer an extensive lineup of MOSFETs, optical isolation, transistors, and diodes, to cover various automotive applications in 12V to 48V battery systems. In addition, Toshiba offers automotive-grade motor control drivers. Toshiba automotive devices are AEC-Q100 and AEC-Q101 qualified.

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TK7S10N1Z,LQ
Toshiba
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TLX9310(TPL,F
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TLX9906(TPL,F
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TPWR7904PB,L1XHQ
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XPW6R30ANB,L1XHQ
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SSM3J356R,LXHF
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SSM3J375F,LXHF

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SSM3J377R,LXHF
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SSM3K341R,LXHF
Toshiba
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TJ50S06M3L,LXHQ
Toshiba
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

TK33S10N1L,LXHQ
Toshiba
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TK33S10N1L,LXHQ

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SSM3J372R,LXHF
Toshiba
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SSM3J372R,LXHF

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TK11S10N1L,LQ
Toshiba
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TK11S10N1L,LQ

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TK1R5R04PB,LXGQ
Toshiba
1: ₡1 630
989En existencias
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TK1R5R04PB,LXGQ

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757-TK1R5R04PB,LXGQ

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TK33S10N1L,LQ
Toshiba
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TK33S10N1L,LQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 157W 1MHz Automotive; AEC-Q101

TK55S10N1,LXHQ
Toshiba
1: ₡1 166
2 023En existencias

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TK55S10N1,LXHQ

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Toshiba

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=50W F=1MHZ AEC-Q101

TK7S10N1Z,LXHQ
Toshiba
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TK7S10N1Z,LXHQ

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757-TK7S10N1ZLXHQ

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TLX9378(TPL,F
Toshiba
1: ₡2 297
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TLX9378(TPL,F

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757-TLX9378TPLF

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPH3R114MC,L1XHQ
Toshiba
1: ₡1 299
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5 000Se espera el 20/2/2026

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XPH3R114MC,L1XHQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN6R706NC,L1XHQ
Toshiba
1: ₡325
2 310En existencias
5 000Se espera el 20/4/2026

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XPN6R706NC,L1XHQ

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757-XPN6R706NC,L1XHQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

XPN9R614MC,L1XHQ
Toshiba
1: ₡719
2 781En existencias
5 000Se espera el 15/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
XPN9R614MC,L1XHQ

N.º de artículo de Mouser
757-XPN9R614MC,L1XHQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101

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5 000Se espera el 15/5/2026

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

SSM3J378R,LXHF
Toshiba
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98 982Se espera el 23/2/2026

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SSM3J378R,LXHF

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757-SSM3J378RLXHF

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₡222

₡142

₡107

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