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TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 3915 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-TK110Z65ZS1F

Fabricante N.º:

TK110Z65Z,S1F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Hoja de datos:

TK110Z65Z,S1F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	₡3 915	₡3 915
	₡2 308	₡23 080
	₡1 920	₡192 000
	₡1 647	₡823 500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	24 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	110 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	40 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	190 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	90 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	45 ns
Peso de la unidad:	6 g

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Hoja de datos

TK110Z65Z,S1F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TK110Z65Z Silicon N-Channel DTMOSIV Series MOSFET

Toshiba TK110Z65Z Silicon N-Channel DTMOSIV Series MOSFET features a low 0.092Ω (typical) drain-source on-resistance, high-speed switching properties, and low capacitance. The TK110Z65Z also features an enhancement mode making it ideal for use in switching power supply applications.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.