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CUHS10F60,H3F

Name: Toshiba CUHS10F60,H3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-CUHS10F60H3F
Price: 145 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

757-CUHS10F60H3F

Fabricante N.º:

CUHS10F60,H3F

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF

Hoja de datos:

CUHS10F60,H3F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡145	₡145
	₡122	₡1 220
	₡81,8	₡8 180
	₡60,9	₡30 450
	₡53,4	₡53 400
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡36,5	₡109 500
	₡34,8	₡208 800
	₡32,5	₡292 500
	₡31,9	₡765 600

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
Configuración:	Single
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	5,400 mg

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Hoja de datos

CUHS10F60,H3F Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to +150°C and a maximum junction temperature of +150°C. The Toshiba CUHS10F60 SBD also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.

CUHSx Schottky Barrier Diodes

Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes (SBDs) are suitable for rectifying power supply circuits and protecting reverse currents. These diodes are high-speed switching devices that incorporate Si technology and use a US2H package to achieve low-thermal resistance. These SBDs offer a reverse leakage greater than other types of diodes making them more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. To improve the efficiency of power supply use, these SBDs are required to have low forward voltage and low reverse current. The DC-DC boost converter ICs are used in voltage-boosting circuits for driving LCD backlight LEDs in portable devices like smartphones, tablets, and notebook PCs. In addition to the DC-DC converter circuits, Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes are also used in applications such as motor driver circuits, MOSFET gate driver circuits, and freewheeling diodes.

Small Signal Schottky Barrier Diodes

Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes come in a variety of packages, voltages, and current ratings to meet a variety of design requirements. Voltages range from 10V to 60V with current ratings from 0.05A to 2A. Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes feature high-speed switching and a low leakage current.