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BGA855N6E6327XTSA1

Name: Infineon BGA855N6E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGA855N6E6327XTS
Price: 365 CRC
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-BGA855N6E6327XTS

Fabricante N.º:

BGA855N6E6327XTSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF MMIC SUB 3 GHZ

Hoja de datos:

BGA855N6E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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₡-

Precio ext.:

₡-

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 12000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+₡4 100)

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	₡365	₡365
	₡257	₡2 570
	₡231	₡5 775
	₡201	₡20 100
	₡187	₡46 750
	₡179	₡89 500
	₡165	₡165 000
	₡161	₡644 000
	₡156	₡1 248 000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 12000)
	₡156	₡1 872 000

† ₡4 100 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	1.164 GHz to 1.3 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	1.1 V to 3.3 V
Corriente de suministro operativa:	4.4 mA
Ganancia:	17.6 dB
NF - Figura de ruido:	0.6 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TSNP-6
Tecnología:	SiGe
P1dB: punto de compresión:	- 14 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	1 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	BGA855N6
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	11 dB
Aislamiento dB:	22 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	60 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	12000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	1.214 GHz
Alias de las piezas n.º:	BGA 855N6 E6327 SP002337750
Peso de la unidad:	0,830 mg

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Models

BGA855N6E6327XTSA1 Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8542339000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
ECCN:: EAR99

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.

Amplificador de RF de bajo nivel de ruido BGA855N6

El amplificador de RF de bajo nivel de ruido BGA855N6 de Infineon Technologies mejora la sensibilidad de la señal GNSS para aplicaciones de banda que funcionan dentro de un rango de frecuencia de 1164 MHz a 1300 MHz. Este amplificador cubre bandas GPS L2/L5, Galileo E5a, E5b, E6, Glonass G3, G2, Beidou B3 y B2. El amplificador BGA855N6 cuenta con ganancia de potencia de inserción de 17.8 dB, bajo consumo de corriente, alto rendimiento de linealidad, salida de RF equilibrada internamente y alta precisión. El alto rendimiento de linealidad del BGA855N6 garantiza la mejor sensibilidad para el funcionamiento en configuraciones NSA de 4G y 5G. Este amplificador se basa en la tecnología de silicio-germanio B9HF de Infineon Technologies y funciona con un voltaje de suministro de 1.1 V a 3.3 V.