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SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 3677 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Fabricante N.º:

SIJK5100E-T1-GE3

Fabricante:

Vishay

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 417A

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	₡3 677	₡3 677
	₡2 558	₡25 580
	₡1 868	₡186 800
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	₡1 520	₡2 280 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-16
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	417 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	131 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	536 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Vishay
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	35 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	245 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	SIJK5100E
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	54 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	41 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET^® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.