Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 440
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-CH MOSFET 122 419En existencias
Cinta cortada
₡681,81
₡315,92
₡280,53
₡263,36
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₡263,36
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Máx.: 600
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K 229 945En existencias
Cinta cortada
₡431,99
₡194,13
₡170,71
₡144,17
₡107,22
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₡107,22
Min.: 1
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Máx.: 1 130
: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V
29 996En existencias
Cinta cortada
₡890,00
₡496,52
₡334,14
₡305,51
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₡255,03
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Máx.: 2 000
: 1 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523 1 489 287En existencias
Cinta cortada
₡150,93
₡66,10
₡57,25
₡49,96
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₡30,71
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Máx.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A 307 385En existencias
Cinta cortada
₡301,87
₡134,28
₡117,63
₡115,02
₡96,29
Envase tipo carrete
₡74,43
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Máx.: 3 500
: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 83 060En existencias
Cinta cortada
₡687,01
₡369,53
₡280,01
₡220,16
₡193,09
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₡158,22
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Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V P-Chnl UMOS 3 183En existencias
Cinta cortada
₡1 233,50
₡785,90
₡530,87
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₡426,78
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: 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 82 840En existencias
Cinta cortada
₡546,49
₡377,34
₡238,89
₡147,81
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₡147,81
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Máx.: 630
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Enh Mode FET 16 007En existencias
Cinta cortada
₡484,03
₡217,03
₡191,01
₡164,47
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₡164,47
Min.: 1
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Máx.: 550
: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K 4 846En existencias
Cinta cortada
₡822,34
₡386,19
₡328,93
₡266,48
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₡193,61
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: 5 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 26.5mOhm 12Vgs 570pF 45 697En existencias
Cinta cortada
₡270,64
₡119,71
₡105,13
₡84,32
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₡84,32
Min.: 1
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Máx.: 950
: 10 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A 10 749En existencias
Cinta cortada
₡463,21
₡210,79
₡185,81
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₡185,81
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Máx.: 440
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 158 641En existencias
Cinta cortada
₡208,19
₡91,08
₡79,63
₡68,18
₡59,33
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₡43,20
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Máx.: 3 000
: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Enh FET 25Vgss -100A 1.3W 11 400En existencias
Cinta cortada
₡817,13
₡383,06
₡340,90
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₡340,90
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Máx.: 200
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 10 927En existencias
Cinta cortada
₡598,54
₡275,85
₡244,10
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₡244,10
Min.: 1
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Máx.: 340
: 2 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC 11 222En existencias
Cinta cortada
₡395,55
₡179,56
₡158,22
₡124,39
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₡89,52
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: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC 25 496En existencias
Cinta cortada
₡520,47
₡236,81
₡209,23
₡181,12
₡151,98
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₡110,34
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Máx.: 2 500
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V P-Ch 60Vds 20Vgs FET 1030pF 19.4nC 12 610En existencias
Cinta cortada
₡572,51
₡261,79
₡197,78
₡167,07
₡156,14
Envase tipo carrete
₡130,12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2 500
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 13 118En existencias
Cinta cortada
₡1 535,37
₡806,72
₡681,81
Envase tipo carrete
₡681,81
Min.: 1
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Máx.: 100
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A 6 256En existencias
Cinta cortada
₡1 171,05
₡608,94
₡486,64
₡471,54
Envase tipo carrete
₡306,55
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 31V-40V 10 488En existencias
Cinta cortada
₡962,86
₡465,82
₡397,64
Envase tipo carrete
₡397,64
Min.: 1
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Máx.: 160
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V
21 543En existencias
Cinta cortada
₡504,85
₡230,05
₡202,98
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₡202,98
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Máx.: 400
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel 3 413En existencias
Cinta cortada
₡1 327,19
₡853,56
₡582,92
₡491,32
₡435,11
Envase tipo carrete
₡395,55
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap 4 378En existencias
Cinta cortada
₡858,77
₡405,44
₡360,16
₡321,65
Envase tipo carrete
₡209,23
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 48 348En existencias
Cinta cortada
₡400,76
₡181,12
₡159,78
₡151,46
₡130,64
Envase tipo carrete
₡92,12
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3 000
: 3 000