Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 486
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 26 086En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 12 985En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 4 630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 7 484En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 240V 10 883En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V 4 480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V 9 818En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 3 872En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 200V 18 444En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 5 769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 240V 7 095En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V 11 650En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl HDMOS 15 562En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl HDMOS 18 784En existencias
36 000Se espera el 13/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Chnl HDMOS 118 579En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl HDMOS 15 921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Chnl HDMOS 6 514En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET H-BRIDGE SOP-8L 7 516En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 22 881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 21 057En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 7 251En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel 2A MOSFET 9 999En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 48 115En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Channel Enhance. Mode MOSFET 73 374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Chnl UMOS 38 519En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000