Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
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24 503En existencias
10 500Se espera el 17/4/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHANNEL
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
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27 500En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V X1-DFN1006-3 T&R 10K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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18 000Se espera el 25/3/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V DUAL N-CH MOSFET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60V 3ohm 310mA
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
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35 633En existencias
23 800Se espera el 11/5/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel
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57 133En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-23
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37 667En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V
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