Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1 486
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W 4 937En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A 120 573En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A 3 111En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350mW 30Vdss 38 044En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 22 630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V 16 477En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 20 965En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Ch Dual FET 20Vgs -4.2A 14.3 9 331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC 3 330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche 2 822En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 3 983En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 3 823En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.4A N-Channel MOSFET H-Bridge 1 085En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 125W 2 465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 2 975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 1 946En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 2 540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Enh Mode FET 5 921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W 3 683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA 6 568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC 4 184En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2 000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A 4 057En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 2 351En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V 7 198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 3 422En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3 000