Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

NVTFS5826NLWFTWG-UM

Name: onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-TFS5826NLWFTWGUM
Price: 904.8 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

863-TFS5826NLWFTWGUM

Fabricante N.º:

NVTFS5826NLWFTWG-UM

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET U8FL 60V 20A 25MOHM

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

NVTFS5826NLWFTWG-UM Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi NVTFS5826NLWFTWG-UM

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 5 000

Se espera el 31/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:: 20

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡904,80	₡904,80
	₡571,30	₡5 713,00
	₡381,06	₡38 106,00
	₡299,28	₡149 640,00
	₡263,90	₡263 900,00
	₡259,84	₡649 600,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	₡246,50	₡1 232 500,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	22 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	29 ns
Serie:	NVTFS5826NL
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVTFS5826NLWFTWG-UM Hoja de datos

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single P-Channel Power MOSFETs

onsemi Single P-Channel Power MOSFETs offer a small footprint for compact designs, low R_DS(on) to minimize conduction losses, and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. onsemi Single P-Channel Power MOSFETs are lead−free and are suitable for automotive and other applications requiring AEC−Q101 qualified site and change controls.