700V CoolMOS™ P7 MOSFETs

Infineon Technologies 700V CoolMOS™ P7 MOSFETs feature a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The 700V are designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon. The latest 700V CoolMOS P7 are an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets like chargers, adapters, lighting, TVs and more. The new series provides all the benefits of a fast switching Superjunction MOSFET, combined with an excellent price/performance ratio and state of the art ease-of-use level. The technology meets highest efficiency standards and supports high power density, enabling customers going towards very slim designs.

Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 68 653En existencias
₡853,56
₡402,84
₡358,60
₡300,83
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Min.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 600 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4 860En existencias
₡890,00
₡421,06
₡375,26
₡294,58
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 1 659En existencias
₡1 046,14
₡501,73
₡448,64
₡361,20
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 30 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 7 876En existencias
500Se espera el 21/10/2026
₡1 327,19
₡645,38
₡593,33
₡471,02
₡383,06
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 32 709En existencias
Cinta cortada
₡546,49
₡251,38
₡222,24
₡171,23
Envase tipo carrete
₡135,84
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Min.: 1
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: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 22.7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4 266En existencias
Cinta cortada
₡676,61
₡315,92
₡280,53
₡218,08
Envase tipo carrete
₡171,75
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 6.9 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 55En existencias
25 000En pedido
Cinta cortada
₡770,29
₡335,18
₡287,30
₡212,87
Envase tipo carrete
₡173,31
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 4 613En existencias
Cinta cortada
₡515,26
₡235,77
₡208,19
₡160,30
Envase tipo carrete
₡124,39
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 555En existencias
12 000Se espera el 19/11/2026
Cinta cortada
₡478,83
₡218,60
₡192,57
₡147,81
Envase tipo carrete
₡114,50
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
219 929En pedido
Cinta cortada
₡895,20
₡489,24
₡370,57
₡301,35
₡282,61
Envase tipo carrete
₡216,51
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 59.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
12 477Se espera el 4/2/2027
Cinta cortada
₡614,15
₡325,81
₡248,78
₡204,02
₡184,77
Envase tipo carrete
₡148,33
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 6 A 740 mOhms 16 V 2.5 V 6.8 nC - 40 C + 150 C 30.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
14 898Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
₡801,52
₡378,90
₡337,26
₡263,88
Envase tipo carrete
₡210,27
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
2 500Se espera el 22/4/2027
₡1 061,75
₡508,49
₡453,33
₡358,60
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube