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iS20M028S1C-7SR

Name: iDEAL Semiconductor iS20M028S1C-7SR
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M028S1C-7SR
Price: 1984 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

25-IS20M028S1C-7SR

Fabricante N.º:

iS20M028S1C-7SR

Fabricante:

iDEAL Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	₡1 984	₡1 984
	₡1 296	₡12 960
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
	₡1 008	₡100 800
	₡846	₡423 000
	₡737	₡737 000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	iDEAL Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PDFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	45 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	27.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SuperQ
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	iDEAL Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	14 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.3 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET is designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFET features ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFET supplies superior R_DS(on) and Q_SW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.