iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs

iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs are designed for SMPS and high-efficiency motor drives. The 200V MOSFETs feature ultra-low conduction and switching losses in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm. The iDEAL Semi iS20M028S1C SuperQ 200V N-Ch Power MOSFETs supply superior RDS(on) and QSW, while minimizing heat dissipation at both full and partial loads.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos
2 102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5 000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 2 Semanas
Min.: 200
Mult.: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
Carrete: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel