Power Silicon Carbide Schottky Diodes

Vishay Semiconductors Power Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are advanced, high‑performance rectifiers designed to deliver exceptional efficiency, ruggedness, and reliability in demanding power‑electronics applications. Built on wide-band-gap SiC technology, these Vishay diodes offer virtually zero reverse‑recovery charge, extremely fast switching capability, and temperature‑invariant performance, making the devices ideal for next‑generation high‑frequency power conversion systems.

Resultados: 45
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 16/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 16/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TO-263AB-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 30 A 1.2 kV 1.36 V 144 A 550 uA - 55 C + 175 C VS-4C30ET12THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
500Se espera el 16/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
500Se espera el 16/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C VS-4C40CP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Se espera el 6/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Se espera el 6/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 4C06ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
780Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C 4C08ET07S2LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.3 V 51 A 41 uA - 55 C + 175 C VS-4C08ET07THM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C VS-4C10EP12L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SiCG4D2PAK2L
Hoja de datos
800Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07S2L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L
Hoja de datos
1 000Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C VS-4C12ET07T-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07L-M3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2472L
Hoja de datos
500Se espera el 14/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 16 A 650 V 1.3 V 101 A 94 uA - 55 C + 175 C VS-4C16EP07LHM3
Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2473L
Hoja de datos
490Se espera el 6/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C VS-4C20CP07L-M3