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RF4G100BGTCR

Name: ROHM Semiconductor RF4G100BGTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RF4G100BGTCR
Price: 794.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RF4G100BGTCR

Fabricante N.º:

RF4G100BGTCR

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 10.0A(Id), (4.5V Drive)

Hoja de datos:

RF4G100BGTCR Hoja de datos

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₡-,--

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡794,60	₡794,60
	₡501,12	₡5 011,20
	₡331,76	₡33 176,00
	₡259,26	₡129 630,00
	₡236,06	₡236 060,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡211,12	₡633 360,00
	₡206,48	₡1 238 880,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-2020-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	10.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	4.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5.2 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6.5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.5 ns
Alias de las piezas n.º:	RF4G100BG

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RF4G100BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N-Channel Power MOSFET is a 40V, 10A MOSFET featuring a low 14.2mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4G100BG has a 27ns (typical) reverse recovery time and an 18nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.