Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

TGF2965-SMTR13

Name: Qorvo TGF2965-SMTR13
Brand: Qorvo
SKU: 772-TGF2965-SMTR13
Price: 19446.47 CRC
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-TGF2965-SMTR13

Fabricante N.º:

TGF2965-SMTR13

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50Ohm GaN RF I/P-Mtch T

Hoja de datos:

TGF2965-SMTR13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 2500 Múltiples: 2500

Precio unitario:

₡-,--

Precio ext.:

₡-,--

Est. Tarifa:

Precio (CRC)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	₡19 446,47	₡48 616 175,00

Producto similar

Fabricante:

Qorvo

Fabricante N.º:

TGF2965-SM

Descripción:

GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V

Ciclo de vida:

Disponibilidad restringida: Este número de pieza no se encuentra disponible actualmente en Mouser. El producto puede estar en distribución limitada o en un pedido especial de fábrica.

Comparar con la parte actual

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-16
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	32 V
Id - Corriente de drenaje continua:	600 mA
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 2 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	7.5 W
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	TGF2965
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN-on-SiC
Alias de las piezas n.º:	TGF2965-SM

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TGF2965-SMTR13 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.