Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
RX3P10BBHC16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
RX3P12BATC16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -100V 4.5A, Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 100V 4.5A N-CH MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.5A Dual Nch+Pch, SOP8, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 2A DUAL CH
UT6ME5TCR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DFN 100V 2A DUAL CH
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
YQ10RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
YQ10RSM10SDTL1
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7 594 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
YQ12RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
YQ12RSM10SDTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 12A SM SKY BARRI
3 668 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
YQ15RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
5 672 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
YQ15RSM10SDTL1
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755-YQ15RSM10SDTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 15A SM SKY BARRI
4 095 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ20BGE10SDTL
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755-YQ20BGE10SDTL
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
YQ20NL10CDFHTL
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755-YQ20NL10CDFHTL
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10CD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ20NL10CDTL
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755-YQ20NL10CDTL
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10CD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
YQ20NL10SEFHTL
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2 000 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10SEFHTL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ20NL10SETL
ROHM Semiconductor
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₡1 386
1 988 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ20NL10SETL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
1 988 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
YQ30NL10SETL
ROHM Semiconductor
1:
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1 908 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ30NL10SETL
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 30A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ30NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
1 908 En existencias
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₡572
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
YQ3RSM10SDTFTL1
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N.º de artículo de Mouser
755-YQ3RSM10SDTFTL1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 3A SM SKY BARRI
3 852 En existencias
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
YQ5RSM10SDTFTL1
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N.º de artículo de Mouser
755-YQ5RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
3 900 En existencias
1
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
YQ5RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡708
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N.º de artículo de Mouser
755-YQ5RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 5A SM SKY BARRI
3 955 En existencias
1
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10
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
YQ8RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
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₡1 119
3 867 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ8RSM10SDTFTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
3 867 En existencias
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1 000
₡350
2 000
₡332
4 000
₡332
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
YQ8RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
1:
₡870
3 905 En existencias
N.º de artículo de Mouser
755-YQ8RSM10SDTL1
ROHM Semiconductor
Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 8A SM SKY BARRI
3 905 En existencias
1
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1 000
₡298
2 000
₡281
4 000
₡278
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