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NVMJD010N10MCLTWG

Name: onsemi NVMJD010N10MCLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-VMJD010N10MCLTWG
Price: 1954.6 CRC
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-VMJD010N10MCLTWG

Fabricante N.º:

NVMJD010N10MCLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-CH LL IN LFPA

Hoja de datos:

NVMJD010N10MCLTWG Hoja de datos

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	₡1 954,60	₡1 954,60
	₡1 444,20	₡14 442,00
	₡1 003,40	₡100 340,00
	₡852,60	₡426 300,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	₡577,68	₡1 733 040,00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFPAK-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	62 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	26.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	84 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	61 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	32 ns
Serie:	NVMJD010N10MCL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	68 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMJD010N10MCL Power MOSFET

onsemi NVMJD010N10MCL Power MOSFET is a dual, N-Channel MOSFET designed for compact and efficient designs, including high thermal performance. This power MOSFET operates at 100V drain-to-source voltage, 10mΩ drain resistance, and 62A continuous drain current. The NVMJD010N10MCL MOSFET features low total gate charge (Q_G) and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET comes in a 5mm x 6mm flat lead package and is an AEC-Q101-qualified MOSFET. The device is Pb-free, halogen-free/BFR-free, Beryllium-free, and RoHS-compliant. This power MOSFET is ideal for solenoid drivers low side/high side drivers, automotive engine controllers, and antilock braking systems.