STD25NF20

STMicroelectronics
511-STD25NF20
STD25NF20

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
18 A
125 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
Tiempo de caída: 10 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: STD25NF20
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 15 ns
Peso de la unidad: 330 mg
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Singapur
País de origen del ensamblaje:
Singapur
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET I™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET I™ Power MOSFETs are enhancement mode Power MOSFETs that benefit from the "single feature size" strip-based process. This decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. This makes these devices ideal for switching automotive applications.

En existencias: 3 412

Existencias:
3 412
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5 000
Se espera el 21/9/2026
Plazo de entrega de fábrica:
15
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
₡-,--
Precio ext.:
₡-,--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (CRC)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
₡1 202,28 ₡1 202,28
₡582,92 ₡5 829,20
₡525,67 ₡52 567,00
₡415,33 ₡207 665,00
₡401,80 ₡401 800,00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
₡351,31 ₡878 275,00
† ₡4 100,00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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