Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (RDS(ON), ultra-low gate charge (Qg), and low (Qg) x RDS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Qg and Qoss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).

Resultados: 103
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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25 427En existencias
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Si SO-8FL-Dual-8 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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15 135En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V SO8FL
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2 094En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 6.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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4 006En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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22 513En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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8 688En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 89 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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4 140En existencias
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Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 44 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1 452En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 123 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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1 890En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 155 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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1 419En existencias
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Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 43 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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3 000En existencias
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: 1 500
Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 48 A 14.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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3 280En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 42 A 13.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V U8FL
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3 611En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.9 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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985En existencias
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 31 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
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1 419En existencias
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 29 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL DS
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14 624En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 74 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 8 80V NFET
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12 032En existencias
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Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 203 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 337A 1.1mOhms
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5 378En existencias
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: 3 000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 80 V 337 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 147 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8-80V IN TOLL
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1 501En existencias
2 000Se espera el 22/9/2026
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: 2 000
Si SMD/SMT TO-LL8-8 N-Channel 1 Channel 80 V 351 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 166 nC - 55 C + 175 C 311 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 40V LOW COSS
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4 916En existencias
Min.: 1
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: 5 000
Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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7 066En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 480
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 44 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 13.7 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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1 272En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V LOW COSS
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4 605En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 224A 1.8mOhm Single N-Channel
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3 445En existencias
18 000En pedido
Min.: 1
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: 1 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 224 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 112 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL SO8FL
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1 289En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Si SO-8FL-4 Reel, Cut Tape