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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 60V 35mOhm 6.5A STripFET III 4 779En existencias
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: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III 1 747En existencias
3 000Se espera el 15/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.8 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET 360En existencias
Min.: 1
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: 1 000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 114.6 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa 478En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 120 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
5 891Se espera el 21/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 100 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20.5 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel