OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 100V Power MOSFETs are offered in SuperSO8 and PQFN 3.3 x 3.3 packages, while optimized for high-switching-frequency applications such as telecom and solar, where losses are associated with charges (switching) and on-state resistance (conduction). Additionally, due to the best-in-class RDS(on) and wider safe operating area (SOA), the device is also ideal for battery-powered applications (BPA) and battery management systems (BMS).

Resultados: 8
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CRC) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
3 992En existencias
10 000Se espera el 13/8/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 179 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 55 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
3 409En existencias
15 000Se espera el 30/7/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
9 438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
1 388En existencias
10 000Se espera el 11/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
78 209En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
19 991En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
38 496En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
14 828Se espera el 27/5/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel